中国科大在氧化镓半导体器件领域取得重要进展

高功率氧化镓肖特基二极管

图1结终端扩展氧化镓肖特基二极管设备结构示意图具有不同JTE区域电荷浓度的器件的击穿特性的比较封装器件反向恢复特性的测试电路与已报道的氧化镓肖特基二极管的性能比较

氧化镓光电探测器

相对光栅光电探测器的概念和基本特性。

本站了解到，上述两项研究得到了国家自然科学基金，中科院，科委等的支持，同时也得到了中国科学技术大学微纳研究与制造中心，中国科学技术大学信息科学实验中心，阜新微电子公司等单位的支持在器件准备，模拟和封装方面

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