消息称长江存储将直接挑战232层NAND，并于2022年底量产

3D 200层栈的游戏正在加速内存厂商美光此前提出，业界首款232层堆栈3D NAND闪存将于2022年底前率先量产

据DigiTimes报道，最近几天，市场传言称，长江存储将跳过原有的192层技术，直接挑战232层NAND，并于2022年底量产。

据报道，内存相关产业指出，由此，长江存储有望赶超三星电子，侠义等其他NAND厂商，并将在2023年逐步扩大232层NAND产能比例，为全球NAND产业竞争投下一枚重磅炸弹。

本站了解到，长江存储已经推出了128层3D NAND闪存，此前有报道称，长江存储已经向一些客户交付了其自主开发的192层3D NAND闪存的样品。

此外，市场观察人士认为，三星电子有望在2022年末加入200层以上3D NAND闪存的竞争。

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